由于碳化硅陶瓷的各种优良性能，因此人们非常认可碳化硅陶瓷，所以对碳化硅陶瓷的开发和研制也是非常多的，下面讲几种制备碳化硅陶瓷的方法。

  (1)热压碳化硅陶瓷

  虽然在2000度以上的温度和350MPa以上的压力可以使纯SIC热压致密，但是通常还是采用加入添加剂的方法。热压添加剂有两类：一类与碳化硅中的杂质形成液相，通过液相促进烧结;一类是与SiC形成固溶体降低晶界能促进烧结。

  (2)常压碳化硅陶瓷

  常压烧结碳化硅也命名为无压烧结碳化硅，在烧结到2100度以上的温度下，生成高纯度、高致密的碳化硅陶瓷。

  (3)反应碳化硅陶瓷

  反应烧结碳化硅又称为自结合SIC。将碳化硅粉和石墨粉按一定的比例混合压成坯体块,加热到1650度左右，通过气相与C反应生成。